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STU6N65M2-S

Name: STMicroelectronics STU6N65M2-S
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STU6N65M2-S
Price: 0.52 USD
Availability: Discontinued

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Mouser N.º:

511-STU6N65M2-S

Fabricante N.º:

STU6N65M2-S

Fabricante:

STMicroelectronics

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	IPAK-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.35 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	9.8 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	60 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	20 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	7 ns
Serie:	STU6N65M2
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	6.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	19 ns
Peso de la unidad:	2.274 g