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STU3N65M6

Name: STMicroelectronics STU3N65M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STU3N65M6
Price: 1.85 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STU3N65M6

Fabricante N.º:

STU3N65M6

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package

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NRND:

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Hoja de datos:

STU3N65M6 Hoja de datos (PDF)

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	$0.781	$78.10
	$0.64	$320.00
	$0.56	$560.00
	$0.515	$1,545.00
	$0.514	$3,084.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-251-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.5 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.25 V
Qg - Carga de puerta:	6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	45 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	Mdmesh M6
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	340 mg

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8542319000
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

MOSFET M6 MDmesh™

Los MOSFET M6 MDmesh™ de STMicroelectronics combinan una carga de puerta baja (Q_g) con un perfil de capacitancia optimizado para enfocar una alta eficiencia en nuevas topologías en aplicaciones de conversión de potencia. La serie M6 MDmesh con estructura de "súper unión" ofrece un rendimiento de eficiencia extremadamente alta, lo que permite una mayor densidad y una carga de puerta baja para altas frecuencias. Los MOSFET serie M6 tienen un voltaje de ruptura que oscila entre 600 y 700 V. Están disponibles en una amplia gama de opciones de empaque, como una solución de empaque TO sin plomo (TO-LL) que permite una gestión térmica eficiente. Los dispositivos incluyen un amplio rango de voltajes de funcionamiento para aplicaciones industriales como cargadores, adaptadores, módulos de caja de plata, iluminación LED, telecomunicaciones, servidores y energía solar.