STI6N90K5

STMicroelectronics
511-STI6N90K5
STI6N90K5

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package

Modelo ECAD:
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En existencias: 947

Existencias:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
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Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$2.69 $2.69
$1.56 $15.60
$1.21 $121.00
$1.02 $510.00
$0.876 $876.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
1 Channel
900 V
6 A
910 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
MDmesh
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 15.5 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 12.2 ns
Serie: STI6N90K5
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 30.4 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 12.4 ns
Peso de la unidad: 2.387 g
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99