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STGW75H65DFB2-4

Name: STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW75H65DFB2-4
Price: 5.81 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-STGW75H65DFB2-4

Fabricante N.º:

STGW75H65DFB2-4

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.55 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	115 A
Dp - Disipación de potencia :	357 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	4.430 g

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Product Change Notification 2025-5-3 (PDF)

CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. With ST's advanced Trench-Gate Field-Stop High-Speed technology, these IGBTs have a 5μs minimum short circuit withstand time at T_J=150°C, minimal collector current turn off tail, and very low saturation voltage (V_CE(sat)) down to 2.1V (typical) to minimize energy losses during switching and when turned on. Furthermore, a slightly positive V_CE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.