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SCTW90N65G2V

Name: STMicroelectronics SCTW90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTW90N65G2V
Price: 22.92 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-SCTW90N65G2V

Fabricante N.º:

SCTW90N65G2V

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

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	$22.92	$22.92
	$21.31	$213.10
	$20.23	$2,023.00
600	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	HiP-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	90 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	25 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.9 V
Qg - Carga de puerta:	157 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 200 C
Dp - Disipación de potencia :	390 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	16 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	38 ns
Serie:	SCTW90N
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	58 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	26 ns
Peso de la unidad:	4.500 g

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.