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SCTHC250N120G3AG

Name: STMicroelectronics SCTHC250N120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTHC250N120G3AG
Price: 75.42 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-SCTHC250N120G3AG

Fabricante N.º:

SCTHC250N120G3AG

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	STPAK-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	239 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	10.5 nC
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.4 V
Qg - Carga de puerta:	304 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 200 C
Dp - Disipación de potencia :	994 W
Calificación:	AEC-Q100
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	IT
Empaquetado:	Tube
Producto:	MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	Power MOSFET