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RF2L42008CG2

Name: STMicroelectronics RF2L42008CG2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-RF2L42008CG2
Price: 35.51 USD
Availability: Discontinued

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Mouser N.º:

511-RF2L42008CG2

Fabricante N.º:

RF2L42008CG2

Fabricante:

STMicroelectronics

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tecnología:	Si
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	65 V
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.5 Ohms
Frecuencia de trabajo:	3.6 GHz
Ganancia:	14.5 dB
Potencia de salida:	8 W
Temperatura de trabajo máxima:	+ 200 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	E2-3
Empaquetado:	Reel
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de canales:	1 Channel
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	300
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 6 V to + 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V