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MSC017SMA120B

Name: Microchip MSC017SMA120B
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC017SMA120B
Price: 46.56 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

579-MSC017SMA120B

Fabricante N.º:

MSC017SMA120B

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247

Hoja de datos:

MSC017SMA120B Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	113 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	22 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.7 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	455 W
Empaquetado:	Tube
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	US
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	18 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	13 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	51 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	29 ns

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MSC017SMA120x Silicon Carbide N-Ch Power MOSFETs

Microchip Technology MSC017SMA120x Silicon Carbide N-Ch Power MOSFETs increase the performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering the total cost in high-voltage applications. The Microchip MSC017SMA120x SiC MOSFETs provide high efficiency to enable a lighter, more compact system with improved thermal capabilities and lower switching losses.