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DCG17P1200HR

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Mouser N.º:

747-DCG17P1200HR

Fabricante N.º:

DCG17P1200HR

Fabricante:

Littelfuse

Descripción:

Diodos Schottky de SiC Power Diode Disc-Schottky ISOPLUS247

Hoja de datos:

DCG17P1200HR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Littelfuse
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	ISO247-3
Configuración:	Series
If - Corriente directa:	31.7 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión directa:	1.5 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	1 kA
Ir - Corriente inversa:	35 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	Littelfuse
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Peso de la unidad:	6 g

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USHTS:: 8541100080
TARIC:: 854110000
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Devices

IXYS Silicon Carbide (SiC) Devices are ideal for applications where improvements in efficiency, reliability, and thermal management are desired. IXYS focuses on developing the most reliable Silicon Carbide Semiconductor Devices available.

Silicon Carbide (SiC) Diodes & Rectifiers

IXYS Silicon Carbide (SiC) Diodes and Rectifiers are ideal for applications where improvements in efficiency, reliability, and thermal management are desired. These SiC diodes and rectifiers come with a 1200V maximum repetitive reverse blocking voltage. They are available in dual-, phase-leg, or common cathode configurations. The I_FAVMTotal for these devices ranges from 12.5A to 60A. IXYS Silicon Carbide (SiC) Diodes and Rectifiers are offered in either SOT-227B or ISOPLUS247 packages. These devices are ideal for use in solar inverters, uninterruptible power supply (UPS), welding equipment, switched-mode power supplies, medical equipment, or as high-speed rectifiers.