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IPDD60R180CM8XTMA1

Name: Infineon IPDD60R180CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPDD60R180CM8XTM
Price: 3.03 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPDD60R180CM8XTM

Fabricante N.º:

IPDD60R180CM8XTMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

IPDD60R180CM8XTMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$1.35	$135.00
	$1.09	$545.00
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	$0.908	$1,543.60

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HDSOP-10
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	21 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	180 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.7 V
Qg - Carga de puerta:	17 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	169 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	DE
País de origen:	DE
Tiempo de caída:	12.8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6 ns
Serie:	600V CM8
Cantidad de empaque de fábrica:	1700
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	88.4 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	17.2 ns
Alias de las piezas n.º:	IPDD60R180CM8 SP005578049

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 8 SJ MOSFETs are high-voltage super-junction MOSFET technology solutions. The Infineon Technologies CoolMOS 8 has an integrated fast body diode and is ideal for diverse applications. The CoolMOS 8 enhances Infineon's wide-bandgap (WBG) portfolio as the successor to the 600V CoolMOS 7 MOSFET family.