Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

IXTN22N100L

Name: IXYS IXTN22N100L
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTN22N100L
Price: 67.44 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

747-IXTN22N100L

Fabricante N.º:

IXTN22N100L

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Módulos MOSFET 22 Amps 1000V

Hoja de datos:

IXTN22N100L Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre IXYS IXTN22N100L

En existencias: 759

Existencias:: 759

Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
En pedido:: 260
Plazo de entrega de fábrica:: 32

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$67.44	$67.44
	$56.08	$560.80
	$50.74	$5,074.00
1,000	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	22 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	600 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	700 W
Serie:	IXTN22N100
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	50 ns
Altura:	12.22 mm
Longitud:	38.23 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	35 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Linear Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	80 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	36 ns
Vr - Tensión inversa:	100 V
Ancho:	25.42 mm
Peso de la unidad:	30 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IXTN22N100L Hoja de datos

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541590000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA are N-Channel enhancement mode power MOSFETs designed for linear operation in an international standard package. IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA feature a miniBLOC with aluminium nitride isolation, high power density, a space-saving and easy-to-mount package, and molding epoxy which meets the UL94 V-0 flammability classification.