IXFP20N85X

IXYS
747-IXFP20N85X
IXFP20N85X

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
850 V
20 A
330 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
63 nC
- 55 C
+ 150 C
540 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: KR
Tiempo de caída: 20 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 6 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 28 ns
Serie: X-Class
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 44 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 20 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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