IXFN32N60

Name: IXYS IXFN32N60
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN32N60
Price: 30.15 USD
Availability: Discontinued

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Mouser N.º:

747-IXFN32N60

Fabricante N.º:

IXFN32N60

Fabricante:

IXYS

Ciclo de vida:

NRND:

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Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Tecnología:	Si
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	IXFN32N60
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Tiempo de caída:	60 ns
Id - Corriente de drenaje continua:	32 A
Dp - Disipación de potencia :	520 W
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	250 mOhms
Tiempo de subida:	45 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete Semiconductor Modules
Nombre comercial:	HyperFET
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	100 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	30 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Peso de la unidad:	30 g