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IXFN26N100P

Name: IXYS IXFN26N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN26N100P
Price: 46.66 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-IXFN26N100P

Fabricante N.º:

IXFN26N100P

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos 26 Amps 1000V 0.39 Rds

Hoja de datos:

IXFN26N100P Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$46.66	$13,998.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Tecnología:	Si
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, + 30 V
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	IXFN26N100
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	50 ns
Id - Corriente de drenaje continua:	23 A
Dp - Disipación de potencia :	595 W
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	390 mOhms
Tiempo de subida:	45 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete Semiconductor Modules
Nombre comercial:	HiPerFET
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	72 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	45 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1 kV
Peso de la unidad:	30 g

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CNHTS:: 8541590000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.