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IXFN200N10P

Name: IXYS IXFN200N10P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN200N10P
Price: 31.84 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXFN200N10P

Fabricante N.º:

IXFN200N10P

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Módulos MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds

Hoja de datos:

IXFN200N10P Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	200 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	7.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	680 W
Serie:	IXFN200N10
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	90 ns
Altura:	9.6 mm
Longitud:	38.23 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	35 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	HiPerFET
Tipo:	HiperFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	150 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	30 ns
Ancho:	25.42 mm
Peso de la unidad:	30 g

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.