EPC2102

EPC
65-EPC2102
EPC2102

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 2500   Múltiples: 500
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 500)
$5.19 $12,975.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
EPC
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
BGA-75
N-Channel
2 Channel
60 V
30 A
4.9 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
8 nC, 11 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marca: EPC
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Empaquetado: Reel
Producto: Power Transistor
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica: 500
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: 2 N-Channel
Tipo: Half Bridge
Peso de la unidad: 23 mg
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

USHTS:
8541290040

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