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AS4C16M16SB-7TCNTR

Name: Alliance Memory AS4C16M16SB-7TCNTR
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-S4C16M16SB7TCNTR
Price: 5.89 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

913-S4C16M16SB7TCNTR

Fabricante N.º:

AS4C16M16SB-7TCNTR

Fabricante:

Alliance Memory

Descripción:

DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp(.63) Tape and Reel, B Die

Hoja de datos:

AS4C16M16SB-7TCNTR Hoja de datos (PDF)

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	$5.89	$5.89
	$5.49	$54.90
	$5.32	$133.00
	$5.20	$260.00
	$5.08	$508.00
	$4.91	$1,227.50
	$4.79	$2,395.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$4.67	$4,670.00
	$4.55	$9,100.00

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

AS4C16M16SB-7TCN

Embalaje:

Tray

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$7.14

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Alliance Memory
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM
Tamaño de memoria:	256 Mbit
Ancho de bus de datos:	16 bit
Frecuencia de reloj máxima:	143 MHz
Paquete / Cubierta:	TSOP-II-54
Organización:	16 M x 16
Tiempo de acceso:	5.4 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	3 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 70 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Alliance Memory
País de ensamblaje:	TW
País de difusión:	TW
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	55 mA

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CNHTS:: 8542329010
USHTS:: 8542320024
ECCN:: EAR99

DDR3 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieves high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features, and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pairs in a source synchronous fashion. These Alliance Memory devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.