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ALD910017SAL

Name: Advanced Linear Devices ALD910017SAL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD910017SAL
Price: 7.32 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

585-ALD910017SAL

Fabricante N.º:

ALD910017SAL

Fabricante:

Advanced Linear Devices

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V

Hoja de datos:

ALD910017SAL Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Advanced Linear Devices
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	10.6 V
Id - Corriente de drenaje continua:	80 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	300 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.72 V
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 70 C
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Advanced Linear Devices
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	10 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns
Peso de la unidad:	74 mg

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

ALD8100xx/ALD9100xx Quad/Dual SAB™ MOSFET Arrays

Advanced Linear Devices ALD8100xx/ALD9100xx Quad/Dual SAB™ MOSFET Arrays are built with production-proven EPAD® technology. The ALD8100xx/ALD9100xx Supercapacitor Auto Balancing (SAB) addresses voltage and leakage-current balancing of supercapacitors connected in series. Supercapacitors, also known as ultracapacitors or super caps, connected in series can be leakage-current balanced by using a combination of one or more devices connected across each supercapacitor stack to prevent over-voltages.