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AAR013V120H3

Name: APC-E AAR013V120H3
Brand: APC-E
SKU: 896-AAR013V120H3
Price: 27.13 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

896-AAR013V120H3

Fabricante N.º:

AAR013V120H3

Fabricante:

APC-E

Descripción:

MOSFETs de SiC 1200V 13mR, TO247-4L, Automotive Grade

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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	$22.68	$226.80
	$19.83	$2,379.60
5,010	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	APC-E
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	145 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	13 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	18 V
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Marca:	APC-E
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors

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Hoja de datos

AAR013V120H3 Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed to deliver high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications. These MOSFETs are available in 650V and 1200V variants and feature a low forward voltage drop, high switching speeds, and robust reliability, making the MOSFETs ideal for industrial power supplies, energy storage, motor driving, data centers, server farms, and electric vehicle (EV) charging. These APC-E SiC MOSFETs are engineered to improve energy efficiency, reduce system size and weight, and enable modern system architectures. The devices are paired with custom-designed gate drivers to ensure optimal performance and reliability.