Comparar producto similar
Información del producto: |
|||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Producto actual | Primero Producto similar | ||||||||||
| Imagen: |
|
|
|||||||||
| N.º de artículo de Mouser: | 726-IMBG65R039M1HXTM | 726-IMBG65R040M2HXTM | |||||||||
| N.º de artículo del fabricante: | IMBG65R039M1HXTMA1 | IMBG65R040M2HXTMA1 | |||||||||
| Fabricante: | Infineon Technologies | Infineon Technologies | |||||||||
| Descripción: | MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | |||||||||
| Ciclo de vida: | Not Recommended for New Designs | - | |||||||||
| Hoja de datos: | IMBG65R039M1HXTMA1 Hoja de datos (PDF) | IMBG65R040M2HXTMA1 Hoja de datos (PDF) | |||||||||
| RoHS: | |||||||||||
Especificaciones |
|||||||||||
| Marca: | Infineon Technologies | Infineon Technologies | |||||||||
| Modo canal: | Enhancement | Enhancement | |||||||||
| País de ensamblaje: | Not Available | Not Available | |||||||||
| País de difusión: | Not Available | Not Available | |||||||||
| País de origen: | MY | MY | |||||||||
| Id - Corriente de drenaje continua: | 54 A | 49 A | |||||||||
| Fabricante: | Infineon | Infineon | |||||||||
| Temperatura de trabajo máxima: | + 175 C | + 175 C | |||||||||
| Temperatura de trabajo mínima: | - 55 C | - 55 C | |||||||||
| Estilo de montaje: | SMD/SMT | SMD/SMT | |||||||||
| Número de canales: | 1 Channel | 1 Channel | |||||||||
| Empaquetado: | Reel | Reel | |||||||||
| Dp - Disipación de potencia : | 211 W | 197 W | |||||||||
| Producto: | MOSFETs | - | |||||||||
| Tipo de producto: | SiC MOSFETS | SiC MOSFETS | |||||||||
| Qg - Carga de puerta: | 41 nC | 28 nC | |||||||||
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 51 mOhms | 49 mOhms | |||||||||
| Serie: | CoolSiC 650V | - | |||||||||
| Cantidad de Paquete Estándar: | 1000 | 1000 | |||||||||
| Subcategoría: | Transistors | Transistors | |||||||||
| Tecnología: | SiC | SiC | |||||||||
| Nombre comercial: | CoolSiC | - | |||||||||
| Polaridad del transistor: | N-Channel | N-Channel | |||||||||
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 650 V | 650 V | |||||||||
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 5 V, + 23 V | - 7 V, + 23 V | |||||||||
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 5.7 V | 5.6 V | |||||||||
| Alias de las piezas n.º: | IMBG65R039M1H SP005539169 | IMBG65R040M2HXTMA1 SP005917207 | |||||||||
| Tiempo de caída: | - | 4.6 ns | |||||||||
| Paquete / Cubierta: | - | TO-263-7 | |||||||||
| Tiempo de subida: | - | 8.3 ns | |||||||||
| Tiempo de retardo de apagado típico: | - | 14.4 ns | |||||||||
| Tiempo típico de demora de encendido: | - | 8.4 ns | |||||||||
Información del pedido |
|||||||||||
| Existencias: | No en existencias | ||||||||||
| Plazo de entrega de fábrica: | 52 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica. | - | |||||||||
| Comprar: |
|
||||||||||
| Precio: |
|
||||||||||