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QPA2211D

Name: Qorvo QPA2211D
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPA2211D
Price: 463.5 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

772-QPA2211D

Fabricante N.º:

QPA2211D

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

Amplificador de RF GaN Amplifier

Hoja de datos:

QPA2211D Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$463.50	$4,635.00
30	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	Amplificador de RF
Alertas de entrega:	Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.
RoHS:
Frecuencia de trabajo:	27.5 GHz to 31 GHz
Voltaje de alimentación operativo:	22 V
Corriente de suministro operativa:	280 mA
Ganancia:	26 dB
Tipo:	Power Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	Die
Tecnología:	GaN SiC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	QPA2211D
Empaquetado:	Gel Pack
Marca:	Qorvo
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Kit de desarrollo:	QPA2211DEVB03
Pérdida de retorno de entrada:	12 dB
Número de canales:	1 Channel
Dp - Disipación de potencia :	40 W
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Frecuencia de prueba:	31 GHz
Peso de la unidad:	2.140 g

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USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
ECCN:: 3A001.b.2.c

QPA2210D & QPA2211D 27-31GHz GaN Power Amplifiers

Qorvo QPA2210D and QPA2211D GaN Ka-Band Power Amplifiers operate between a 27GHz and 31GHz frequency range to support satellite communications and 5G infrastructure. The amplifiers are fabricated on Qorvo's 0.15µm gallium nitride (GaN) on silicon carbide (SiC) process. The amplifiers are also fully matched to 50Ω with integrated DC blocking caps on both I/O ports. The amplifiers are 100% DC and RF tested on-wafer to ensure compliance with electrical specifications.